Спектроскопия диамагнитных экситонов

Данное издание книги «Спектроскопия диамагнитных экситонов», впервые вышедшей в 1984 г., дополнено материалами обзора «Диамагнитные экситоны в полупроводниках», выпущенного автором в журнале «Физика твердого тела» в 2015 г. Рассматриваются оптические свойства полупроводниковых кристаллов при наличии сильного магнитного поля. Оно приводит к образованию непрерывной последовательности уровней Ландау, разрешенные переходы между которыми дают спектр осциллирующего магнитопоглощения (ОМП), являющийся по существу спектром диамагнитного экситона, (ДЭ). Спектр ДЭ используется далее для установления параметров энергетических зон кристалла. Именно эти параметры лежат в основе качественного и количественного описания различных междузонных оптических явлений для широкого круга полупроводников. Путь к радикальному расширению круга полупроводниковых кристаллов открывает использование ридберговских состояний экситона Ванье—Мотта n0, для которых значительно модифицируется критерий существования ДЭ, с уменьшением необходимого магнитного поля во много раз.Для научных работников и инженеров-исследователей, занятых в различных областях физики полупроводников и полупроводниковой электроники, а также аспирантов и студентов старших курсов физических и физико-технических специальностей вузов.